BSM25GD120DLCE3224 datasheet
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>> BSM25GD120DLCE3224 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BSM25GD120DLCE3224
库存数量:
30
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
200 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
BSM25GD120DLCE3224
BSM25GD120DN1
BSM25GD120DN12
BSM25GD120DN2
BSM25GD120DN2E3224
BSM25GD120DN2E3224[6]
供应商
公司名
电话
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
深圳市鹏展胜电子有限公司
0755-82769203
林先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市亿联芯电子科技有限公司
18138401919
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深圳市蓝山航业电子科技有限公司
0755-83979745
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深圳市鹏威尔科技有限公司
13138879988
胡庆伟
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
BSM25GD120DLCE3224 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
154.988
154.988
10
143.244
1432.44
50
131.79
6589.5
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